2N7002BKW相关资料仅供参考
分立半导体产品2N7002BKW N沟道 60V 场效应管 规格FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 310mA（Ta）
驱动电压10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 6nC @ 4.5V
电压±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散275mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70
封装/外壳 SC-70，SOT-323
以上资料是从网上搜索整理，要货联系我们，需要规格书商友们可自行在网上查找，多谢合作！
此型号目前是公司热销的一个型号，对该产品有需求的商友欢迎与深圳市明佳达电子陈先生联系，大量库存货源供应中。
页:
[1]