BSC100N06LS3G和IPP60R120C7分立半导体

政豪

BSC100N06LS3G  规格： 类型分立半导体产品[size=7.5000pt]         晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商Infineon Technologies
包装 带卷（TR）
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 23μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）45nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3500pF @ 30V
FET 功能[size=7.5000pt]-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TDSON-8-5
封装/外壳8-PowerTDFN

IPP60R120C7 直插场效应管规格
类型分立半导体产品[size=7.5000pt]        晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商Infineon Technologies
包装 管件
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）120 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 390μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）34nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1500pF @ 400V
功率耗散（最大值）92W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220-3
封装/外壳TO-220-3

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